| 发明名称 | 用于形成高纵横比特征和相关联结构的选择性蚀刻化学 | ||
| 摘要 | 本发明涉及使用包括硅物质和卤化物物质且还优选包括碳物质和氧物质的等离子蚀刻化学来选择性蚀刻层间介电层(130)，例如氧化硅层。所述硅物质可由硅化合物(例如Si<sub>x</sub>M<sub>y</sub>H<sub>z</sub>)产生，其中“Si”为硅，“M”为一个或多个卤素，“H”为氢且x≥1，y≥0且z≥0。所述碳物质可由碳化合物(例如C<sub>α</sub>M<sub>β</sub>H<sub>γ</sub>)产生，其中“C”为碳，“M”为一个或多个卤素，“H”为氢，且α≥1，β≥0且γ≥0。所述氧物质可由例如O<sub>2</sub>的可与碳反应以形成挥发性化合物的氧化合物产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101501824A | 申请公布日期 | 2009.08.05 |
| 申请号 | CN200780028892.4 | 申请日期 | 2007.08.20 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 马克·基尔鲍赫;特德·泰勒 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1. 一种用于形成集成电路的方法，其包含：在反应腔室中提供具有上覆遮蔽层的层间介电(ILD)层，所述遮蔽层具有暴露所述ILD层的部分的开口；由包含硅化合物的气体产生等离子受激物质；以及通过使所述ILD层的所述暴露部分与所述等离子受激物质接触而蚀刻所述ILD层。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||