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发明名称 METHOD OF FABRICATING A DUAL-GATE FET
摘要
申请公布号 EP1844498(B1) 申请公布日期 2012.03.14
申请号 EP20060710721 申请日期 2006.01.23
申请人 NXP B.V. 发明人 VAN NOORT, WIBO, D.;WIDDERSHOVEN, FRANCISCUS, P.;SURDEANU, RADU
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/165;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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