| 发明名称 | 具有介电帽层的无过孔薄膜电阻器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有介电帽层的无过孔薄膜电阻器。本公开针对一种薄膜电阻器结构，其包括电连接相邻互连结构的第一导体层的电阻性元件。该电阻性元件被介电帽层覆盖，该介电帽层用作用于该电阻性元件的稳定器和散热器。每个互连包括在第一导电层之上的第二导体层。该薄膜电阻器包括被氮化硅帽层覆盖的铬硅电阻性元件。 | ||
| 申请公布号 | CN102376405A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201110251563.4 | 申请日期 | 2011.08.23 |
| 申请人 | 意法半导体有限公司;意法半导体公司 | 发明人 | 林廷芳;牛成玉;O·勒内尔;C·梁 |
| 分类号 | H01C7/00(2006.01)I;H01C7/06(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;董典红 |
| 主权项 | 一种薄膜电阻器结构，包括：在衬底之上的薄膜电阻器，所述薄膜电阻器具有小于200埃的厚度；以及在所述薄膜电阻器之上的介电帽层，所述介电帽层具有小于600埃的厚度。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡 | ||