| 发明名称 | 具有定向平面的单晶A-平面氮化物半导体晶片 | ||
| 摘要 | 一种单晶a-平面氮化物半导体晶片，其包括在结晶生长方向上的1-3个定向平面，其中a-平面({11-20}平面)形成为主平面。由于可以容易地识别平面定向，因而当在氮化物半导体晶片上形成半导体器件时可以改善精确度。 | ||
| 申请公布号 | CN1958887B | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN200610150276.3 | 申请日期 | 2006.10.18 |
| 申请人 | 三星康宁精密素材株式会社 | 发明人 | 申铉敏;李起秀 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种单晶a‑平面氮化物半导体晶片，其具有圆形形状，其包含在结晶方向上的1‑3个定向平面，其中a‑平面形成为主平面，其中定向平面形成在m‑平面、c‑平面和r‑平面中的任意一个上，或者定向平面形成在m‑平面、c‑平面和r‑平面中的任意一个以及m‑平面的等效平行平面、c‑平面的等效平行平面和r‑平面的等效平行平面中的任意一个上，或者定向平面形成在m‑平面、c‑平面和r‑平面上，其中r‑平面与m‑平面和c‑平面中的任意一个接触。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道龟尾市 | ||