| 发明名称 | ON膜氧化作为隧穿电介质提升SONOS可靠性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种ON膜氧化作为隧穿电介质提升SONOS可靠性的方法，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上生长ON膜中的底层超薄氧化层；第二步，在该超薄氧化层上生长ON膜中的富硅氮化膜；第三步，对ON膜中的富硅氮化膜进行湿氧氧化，利用氧化对富硅氮化膜进行氧掺杂，形成氮氧化硅混合物；第四步，SONOS器件中间氮化硅陷阱层的成膜，作为存储电荷的介质；第五步，在氮化硅陷阱层上生长高温CVD氧化层。该方法在不降低擦写速度的基础上增加了Data Retention寿命，并且简化了工艺控制的难度。 | ||
| 申请公布号 | CN102376555A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201010265329.2 | 申请日期 | 2010.08.26 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 孙勤 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种ON膜氧化作为隧穿电介质提升SONOS可靠性的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，在硅衬底上生长ON膜中的底层超薄氧化层；第二步，在该超薄氧化层上生长ON膜中的富硅氮化膜；第三步，对ON膜中的富硅氮化膜进行湿氧氧化，利用氧化对富硅氮化膜进行氧掺杂，形成氮氧化硅混合物；第四步，SONOS器件中间氮化硅陷阱层的成膜，作为存储电荷的介质；第五步，在氮化硅陷阱层上生长高温CVD氧化层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||