发明名称 | 电子器物的噪声抑制结构 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种电子器物的噪声抑制结构,该噪声抑制结构主要是在一电子器物的外围遮覆有一氧化锆陶瓷体所形成,且该氧化锆陶瓷体是以氧化锆和至少一种作为相安定剂的氧化物混合均匀后,经高温烧制陶瓷化而形成。该电路噪声抑制结构,能有效消减或抑制电子器物附近的噪声,改善该电子器物输送的电子信号的品质。 | ||
申请公布号 | CN202167232U | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
申请号 | CN201120161923.7 | 申请日期 | 2011.05.10 |
申请人 | 陈惠敏 | 发明人 | 陈惠敏 |
分类号 | G10K11/162(2006.01)I | 主分类号 | G10K11/162(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
主权项 | 电子器物的噪声抑制结构,其特征在于:包括有一电子器物,且在该电子器物的外围,遮覆有一氧化锆陶瓷体。 | ||
地址 | 中国台湾桃园县大园乡三石村1邻三块石7之62号 |