发明名称 具区域保护层的发光二极管
摘要 本发明提供一种具区域保护层的发光二极管。根据本发明一实施例的发光二极管,其包含一基板、一位于该基板之上的发光迭层、一位于该发光迭层之上的电极组以及一第一保护层。发光迭层至少包含一N型半导体层、一发光层以及一P型半导体层,而电极组包含一N型电极以及一P型电极。其中,N型半导体层包含一设置N型电极的外露区域,第一保护层分布于发光迭层与外露区域交界的侧壁,以覆盖并保护发光迭层侧壁中,P型半导体层以及N型半导体层间所形成的PN接面。因本发明的保护层为区域性覆盖,因此对于发光二极管亮度影响较小,且电极组的接线区域未有覆盖,因此打线接合力也未因电极组裸露面积减少而受到影响。
申请公布号 CN102376838A 申请公布日期 2012.03.14
申请号 CN201010250687.6 申请日期 2010.08.06
申请人 隆达电子股份有限公司 发明人 江彦志
分类号 H01L33/44(2010.01)I 主分类号 H01L33/44(2010.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 梁挥;鲍俊萍
主权项 一种具区域保护层的发光二极管,其特征在于,包含:一发光迭层,该发光迭层至少包含一N型半导体层、一发光层以及一P型半导体层,其中该N型半导体层还包含一外露区域;一位于该发光迭层之上的电极组;该电极组包含一N型电极以及一P型电极;以及一第一保护层,其中该第一保护层分布于该发光迭层对应于该N型电极的侧壁,以覆盖该P型半导体层以及该N型半导体间所形成的PN接面。
地址 中国台湾新竹市