| 发明名称 | 磁存储器元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种磁存储器元件及其制造方法，该磁存储器元件包括：存储层，在层表面上具有垂直磁化，其磁化方向根据信息而变；以及参考层，与存储层相对设置，为信息的基准，同时在层表面上具有垂直磁化，其中，该存储器元件通过电流在存储层、非磁性层以及参考层形成的层之间流动时所产生的自旋扭矩反转存储层的磁化来存储信息；存储层在存储时的温度下的矫顽力为在室温下的矫顽力的0.7倍以下，在存储层的一侧上形成的电极的层面方向上的部的热导率低于其周边部的热导率。 | ||
| 申请公布号 | CN102376738A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201110217230.X | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种磁存储器元件，包括：存储层，在层表面上具有垂直磁化，其磁化方向根据信息而改变；以及参考层，通过非磁性层与所述存储层相对设置，所述参考层为信息的基准，而且在层表面上具有垂直磁化，其中，所述存储器元件通过电流在所述存储层、所述非磁性层以及所述参考层构成的层间流动时所产生的自旋扭矩反转所述存储层的磁化来存储信息，以及所述存储层在存储时的温度下的矫顽力为室温下矫顽力的0.7倍以下，在所述存储层的一侧上形成的电极的层面方向上的中央部的热导率低于其周边部的热导率。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||