发明名称 并三噻吩二羧酸单分子层及其制备方法
摘要 本发明属于有机光电子器件领域,特别涉及并三噻吩二羧酸单分子层及其制备方法。配制并三噻吩二羧酸溶于二甲基亚砜的浓度为10-6mol·L-1的溶液,然后滴于新解理的云母基片上;于密闭环境中干燥后即得所述并三噻吩二羧酸单分子层。本发明是首次制备并三噻吩二羧酸单分子层;且该单分子层的制备方法操作简单、方便,利于该两种化合物在有机光电子器件中的器件化。
申请公布号 CN101587938B 申请公布日期 2012.03.14
申请号 CN200910065098.8 申请日期 2009.06.02
申请人 河南大学 发明人 杜祖亮;王德坤;蒋晓红;王华
分类号 H01L51/00(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;C07D495/14(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I 主分类号 H01L51/00(2006.01)I
代理机构 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人 刘建芳
主权项 1.并三噻吩二羧酸单分子层,其特征在于,由下法制得:配制并三噻吩二羧酸溶于二甲基亚砜的浓度为10<sup>-6</sup>mol·L<sup>-1</sup>的溶液,然后滴于新解理的云母基片上;于密闭环境中干燥后即得所述并三噻吩二羧酸单分子层;所述并三噻吩二羧酸如式a所示,为平躺式结构;<img file="FSB00000266003000011.GIF" wi="677" he="259" />或者,所述并三噻吩二羧酸如式b所示,为以一定角度取向排列在基底表面的单分子层结构,<img file="FSB00000266003000012.GIF" wi="704" he="256" />
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