等离子体沉浸离子注入工艺

摘要

本发明揭示一种用以通过一等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到一基板内的方法。在一实施例中，通过等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到基板内的方法包括：提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一还原气体；以及将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。在另一实施例中，该方法包括：提供一基板至一处理腔室内；供应一气体混合物到该腔室内，其中该气体混合物包括一反应气体与一含氢还原气体；以及将来自该气体混合物的离子注入到该基板内。

主权项

一种通过一等离子体沉浸离子注入工艺将离子注入到一基板内的方法，至少包括：提供一基板至一处理腔室内；在该腔室内从一气体混合物产生一等离子体，其中该气体混合物包括一反应气体与一还原气体；以及通过该等离子体沉浸离子注入工艺将来自该等离子体的离子注入到该基板内，其中该反应气体包括BF3而该还原气体包括B2H6。