发明名称 |
离子注入系统及方法 |
摘要 |
本发明公开了一种离子注入系统,其包括一离子源系统、一扫描磁铁、一质量分析磁铁、一工件传输设备;该离子源系统包括:一处于地电位的微波源,该微波源通过一波导管与一离子源相连,该波导管上设有一高压隔离装置;一处于地电位的气柜,该气柜通过一进气管与该离子源相连;一处于地电位的冷却水系统,该冷却水系统与该离子源的头部相连并用于冷却该离子源头部;一设于该离子源头部前方的离子束引出系统,该离子束引出系统包括抑制电极和地电极;一处于地电位的高压电源系统,该高压电源系统用于向该离子源头部及该抑制电极供电。本发明还公开了两种离子注入方法。本发明使得离子源系统无需整体工作于高电压下,并且能够实现最佳的生产效率。 |
申请公布号 |
CN102376518A |
申请公布日期 |
2012.03.14 |
申请号 |
CN201010254629.0 |
申请日期 |
2010.08.17 |
申请人 |
上海凯世通半导体有限公司 |
发明人 |
陈炯;钱锋 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
薛琦;朱水平 |
主权项 |
一种离子注入系统,其包括一用于生成一离子束的离子源系统,该离子束传输于一真空腔中,在该离子束的传输路径上依次设有:一用于扫描该离子束的扫描磁铁;一质量分析磁铁,用于偏转该离子束以从中滤除超出一荷质比范围的离子;一具有至少一传输平台的工件传输设备,该传输平台用于承载工件移进该真空腔、穿过该离子束完成注入、然后移出该真空腔;其特征在于,该离子源系统包括:一处于地电位的微波源,该微波源通过一波导管与一离子源相连,该波导管上设有一高压隔离装置;一处于地电位的气柜,该气柜通过一进气管与该离子源相连;一处于地电位的冷却水系统,该冷却水系统与该离子源的头部相连并用于冷却该离子源头部;一设于该离子源头部前方的离子束引出系统,该离子束引出系统包括抑制电极和地电极;一处于地电位的高压电源系统,该高压电源系统用于向该离子源头部及该抑制电极供电。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号 |