| 发明名称 | 非对称双向保护组件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非对称双向保护组件。在第一导电类型的半导体基材中形成的非对称双向保护组件，包括：第一导电类型的第一嵌入区域；在所述基材和所述第一嵌入区域上的第二导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上的第二导电类型的第二外延层，所述第二外延层的掺杂程度不同于所述第一外延层的掺杂程度；在所述外延层的外表面上的与所述第一区域相对的第一导电类型的第二区域；覆盖所述基材的整个下表面的第一包镀金属；以及覆盖所述第二区域的第二包镀金属。 | ||
| 申请公布号 | CN102376774A | 申请公布日期 | 2012.03.14 |
| 申请号 | CN201110238118.4 | 申请日期 | 2011.08.18 |
| 申请人 | 意法半导体(图尔)公司 | 发明人 | 本杰明·莫里永 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种在第一导电类型的半导体基材(31)中形成的非对称双向保护组件，所述组件包括：第一导电类型的第一嵌入区域(32)；在所述基材和所述第一嵌入区域上的第二导电类型的第一外延层(33a)；在所述第一外延层(33a)上的第二导电类型的第二外延层(33b)，所述第二外延层的掺杂程度不同于所述第一外延层的掺杂程度；在所述外延层的外表面上的与所述第一区域(32)相对的第一导电类型的第二区域(34)；覆盖所述基材的整个下表面的第一包镀金属(36)；以及覆盖所述第二区域的第二包镀金属(35)。 | ||
| 地址 | 法国图尔市 | ||