记忆体储存元件

摘要

本发明揭示一种储存元件，其具有：一储存层，其基于一磁性材料之一磁化状态来保持资讯；一固定磁化层，其具有一铁磁层；及一中间层，其系内插于该储存层与该固定磁化层之间。在该储存元件中，自旋偏极电子系在一堆叠方向上注入来改变该储存层之一磁化方向，使得将资讯记录于该储存层内，且形成该储存层之该铁磁层之电阻率系8×10－7 Ωm或更多。