Photoresist Undercoat-Forming Material and Patterning Process
摘要
<p>본 발명의 포토레지스트 하층막 형성 재료는 반사 방지 효과가 있는 중간층과 조합함으로써 200 nm 이상의 막 두께로 충분한 반사 방지 효과를 발휘할 수 있는 만큼의 흡광 계수를 가지고, 기판 가공에 이용되는 CF/CHF계 가스 및 Cl/BCl계 가스 에칭의 속도도 통상의 m-크레졸 노볼락 수지보다 강고하며 높은 에칭 내성을 갖는다. 패터닝 후의 레지스트 형상도 양호하다.</p>
