| 发明名称 | MIM电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种MIM电容器及其制造方法，其中所述MIM电容器包括：半导体基底，形成于半导体基底内的第一电极板；形成于半导体基底表面的层间介质层；形成于第一电极板表面的第一电介质层；形成于第一电介质层表面的第二电极板；形成于第二电极板表面的第二电介质层；以及形成于第二电介质层表面的第三电极板；所述第一电介质层、第二电极板、第二电介质层以及第三电极板均位于层间介质层内，其中第三电极板与第一电极板电连接。与现有的堆叠式结构的MIM电容相比，本发明满足了大电容值的需求，同时形成三层电极板包夹两层电介质的堆叠结构，节省了一层电极板以及层间介质层的厚度，缩小器件尺寸，结构简单易于布线集成。 | ||
| 申请公布号 | CN101989621B | 申请公布日期 | 2012.03.07 |
| 申请号 | CN200910056027.1 | 申请日期 | 2009.08.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 肖德元;季明华;吴汉明 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种MIM电容器，其特征在于，包括：半导体基底，形成于半导体基底内的第一电极板；形成于半导体基底表面的层间介质层；形成于第一电极板表面的第一电介质层；形成于第一电介质层表面的第二电极板；形成于第二电极板表面的第二电介质层；以及形成于第二电介质层表面的第三电极板；所述第一电介质层、第二电极板、第二电介质层以及第三电极板均位于层间介质层内，所述第二电极板对准第一电极板的部分表面，第三电极板对准第二电极板的部分表面，且第三电极板与第一电极板部分对准并直接连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||