刻蚀停止层、双镶嵌结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种刻蚀停止层，其包括预停止层及主停止层，且所述预停止层的氮含量高于所述主停止层的氮含量。该刻蚀停止层对应的形成方法包括步骤：将衬底放置于沉积室内；向所述沉积室内通入载气体及第一反应气体；向所述沉积室引入能量，进行预停止层的沉积；向所述沉积室内通入第二反应气体，进行主停止层的沉积，且所述第二反应气体中的含氮气体量小于第一反应气体中的含氮气体量；停止通入所述第二反应气体；将所述衬底由所述沉积室内取出。本发明还公开了一种应用该刻蚀停止层的双镶嵌结构及其形成方法。本发明的刻蚀停止层、双镶嵌结构及其形成方法，一方面可以确保器件仍具有较好的VBD特性，另一方面也可以有效改善在后续的刻蚀过程中因刻蚀停止层中的氮含量较高而引起的光刻胶被毒化的问题。

主权项

一种刻蚀停止层，其特征在于：包括利用第一反应气体形成的预停止层及利用第二反应气体形成的主停止层，所述第一反应气体中三甲基硅烷与氨气的流量比在1∶7至1∶4之间；所述第二反应气体中三甲基硅烷与氨气的流量比在1∶2至1∶1之间，且所述预停止层的氮含量高于所述主停止层的氮含量。