发明名称 BCD工艺中的高压MOS晶体管结构
摘要 本实用新型提供了一种BCD工艺中的高压MOS晶体管结构,所述BCD工艺中的高压MOS晶体管结构包括:第一掺杂类型的半导体衬底;第二掺杂类型的埋层,位于半导体衬底中;第二掺杂类型的半导体层,覆盖所述半导体衬底和埋层;第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱,并列位于所述半导体层中;场氧化层,位于所述第一掺杂类型的阱中;栅介质层,覆盖所述半导体层;栅电极,位于所述栅介质层和场氧化层上;源区,位于所述栅电极第一侧的第二掺杂类型的阱中;漏区,位于所述栅电极第二侧的第一掺杂类型的阱中。本实用新型可以与BCD工艺兼容,并避免场氧化层对P型离子的吸附作用导致的掺杂浓度低的问题。
申请公布号 CN202159671U 申请公布日期 2012.03.07
申请号 CN201120293833.3 申请日期 2011.08.12
申请人 杭州士兰集成电路有限公司 发明人 闻永祥;岳志恒;孙样慧;陈洪雷
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 主分类号 H01L29/78(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陈亮
主权项 一种BCD工艺中的高压MOS晶体管结构,其特征在于,包括:第一掺杂类型的半导体衬底;第二掺杂类型的埋层,位于半导体衬底中;第二掺杂类型的半导体层,覆盖所述半导体衬底和埋层,所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反;第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱,并列位于所述半导体层中;场氧化层,位于所述第一掺杂类型的阱中;栅介质层,覆盖所述半导体层;栅电极,位于所述栅介质层和场氧化层上,所述栅电极具有相对的第一侧和第二侧,其中第一侧延伸至所述第二掺杂类型的阱上方的栅介质层上,第二侧延伸至所述场氧化层上;源区,位于所述栅电极第一侧的第二掺杂类型的阱中;漏区,位于所述栅电极第二侧的第一掺杂类型的阱中。
地址 310018 浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号