发明名称 APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE
摘要 <p>기판 처리 시스템은 공정 챔버, 케미컬 분사부 및 케미컬 배출부를 포함한다. 공정 챔버의 내부에는 기판이 놓여진다. 케미컬 분사부는 공정 챔버 내에서 기판의 상부에 배치되며, 기판에 케미컬을 분사하여 기판을 처리한다. 케미컬 배출부는 공정 챔버의 하측 부위에 설치되며, 기판을 처리한 케미컬을 산성 및 알칼리성에 따라 구분하여 배출시키기 위한 제1 및 제2 배출구들을 갖는다. 따라서, 케미컬의 폐기 처리 비용을 절감할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101116652(B1) 申请公布日期 2012.03.07
申请号 KR20100002212 申请日期 2010.01.11
申请人 发明人
分类号 H01L21/304;H01L21/306 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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