发明名称 |
绝缘栅双极型晶体管的过流保护方法和装置 |
摘要 |
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管的过流保护方法和装置。所述方法包括获取绝缘栅双极型晶体管的集射电压,根据该集射电压判断是否出现过流,当判断出现过流时,关断绝缘栅双极型晶体管;其中,所述集射电压为一种修正的集射电压Vce′,该修正的集射电压Vce′为参考结温下与一种集电极电流Ic对应的集射电压,该集电极电流Ic为与当前结温下绝缘栅双极型晶体管的集射电压Vce所对应的集电极电流,其中当前结温不等于参考结温。本发明提供的IGBT的过流保护方法和装置,由于结合结温信息进行过流判断,对过流的判断较之现有的过流保护方法更为准确。 |
申请公布号 |
CN101593968B |
申请公布日期 |
2012.03.07 |
申请号 |
CN200810108659.3 |
申请日期 |
2008.05.30 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
张贺军;韦世敏;杨广明;周旭光 |
分类号 |
H02H7/20(2007.01)I;H02H7/10(2006.01)I;H03K17/08(2006.01)I;H02M1/32(2007.01)I |
主分类号 |
H02H7/20(2007.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
代理人 |
王凤桐;杨勤 |
主权项 |
一种绝缘栅双极型晶体管的过流保护方法,该方法包括获取绝缘栅双极型晶体管的集射电压,根据该集射电压判断是否出现过流,当判断出现过流时,关断该绝缘栅双极型晶体管;其特征在于,所述集射电压为一种修正的集射电压Vce′,该修正的集射电压Vce′为参考结温下与一种集电极电流Ic对应的集射电压,该集电极电流Ic为与当前结温下绝缘栅双极型晶体管的集射电压Vce所对应的集电极电流,其中当前结温不等于参考结温。 |
地址 |
518118 广东省深圳龙岗区坪山镇横坪公路3001号 |