发明名称 |
一种点接触背面场异质结太阳电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种点接触背面场异质结太阳电池及其制造方法,其特征在于:采用N型硅片作为衬底,硅衬底背表面依次沉积n/i硅薄膜、导电薄膜、绝缘薄膜和金属层,金属电极与导电薄膜层通过绝缘薄膜层的接触孔形成点接触;硅衬底正表面沉积p/i硅薄膜层,在p型层表面有透明导电薄膜及在其上设置的金属电极。本发明硅衬底的背表面采用绝缘薄膜层将金属与导电薄膜隔开,金属背电极与导电薄膜通过绝缘薄膜层的接触孔形成局部性接触,将金属半导体面接触改为点接触,可降低金属半导体接触的势垒损失,金属面电极有较低的电阻,金属层还能将未被吸收的光线反射进入硅片再次吸收,可提高电池转换效率。 |
申请公布号 |
CN102368507A |
申请公布日期 |
2012.03.07 |
申请号 |
CN201110341022.0 |
申请日期 |
2011.11.02 |
申请人 |
北京汇天能光电技术有限公司 |
发明人 |
张群芳 |
分类号 |
H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0747(2012.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种点接触背面场异质结太阳电池,其特征在于:采用N型硅片作为衬底,硅衬底背表面依次沉积n/i硅薄膜、导电薄膜、绝缘薄膜和金属层;所述绝缘薄膜层有接触孔,所述金属电极与导电薄膜层通过接触孔形成点接触;所述硅衬底正表面沉积p/i硅薄膜层,在p型层表面有透明导电薄膜及在其上设置的金属电极。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区宏达北路10号729室 |