| 发明名称 | 非易失性存储元件和使用该元件的非易失性存储装置 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101878530B | 申请公布日期 | 2012.03.07 |
| 申请号 | CN200980101132.0 | 申请日期 | 2009.09.29 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 二宫健生;有田浩二;三河巧;藤井觉 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种非易失性存储元件，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的第一电极；形成于所述第一电极上的电阻变化层；和形成于所述电阻变化层上的第二电极，其中，所述电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层、氧浓度高于所述第一过渡金属氧化物层的第二过渡金属氧化物层和过渡金属氧氮化物层的至少3层，所述第二过渡金属氧化物层与所述第一电极或所述第二电极中的任一个相接，所述过渡金属氧氮化物层存在于所述第一过渡金属氧化物层和所述第二过渡金属氧化物层之间。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||