| 发明名称 | 刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供刻蚀方法，以提高刻蚀质量，该方法包括：提供基体；于基体上顺次形成遮挡层、底部抗反射层及光阻层，构成掩膜层；图案化所述掩膜层；以及基于图案化后的掩膜层刻蚀该基体。 | ||
| 申请公布号 | CN101740328B | 申请公布日期 | 2012.03.07 |
| 申请号 | CN200810202703.7 | 申请日期 | 2008.11.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李雪 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供基体；于基体上顺次形成遮挡层、底部抗反射层及光阻层，构成掩膜层；图案化所述掩膜层；基于图案化后的掩膜层刻蚀该基体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||