发明名称 一种无需打线的发光二极管芯片及其制备方法
摘要 本发明涉及一种无需打线的蓝宝石衬底的氮化镓基发光二极管及其制备方法:将芯片的P、N电极分布于芯片的两个侧面,呈窄条状相对分布;通过把芯片的侧面加工成斜面,把电极延伸到斜面上,采用嵌入式的封装焊接结构,芯片置于该结构内,将通过熔融又凝固的焊料实现芯片电极与封装结构的连接。采用本方法加工的氮化镓基发光二极管芯片,封装时可以省略打线的步骤,可增加芯片表面的发光面积和透光面积,可降低封装对芯片电极的工艺需求。
申请公布号 CN102368527A 申请公布日期 2012.03.07
申请号 CN201110330729.1 申请日期 2011.10.27
申请人 华灿光电股份有限公司 发明人 罗红波;周武
分类号 H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 江西省专利事务所 36100 代理人 胡里程
主权项 一种无需打线的发光二极管芯片,该芯片包括衬底层以及依次层叠于衬底层上的N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、透明导电层,同时包括P、N电极,其特征在于:所述的电极主体为窄条状,分布于发光二极管芯片平行对边两侧。
地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号