| 摘要 |
<p>본 발명의 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 기판 상에 형성된 게이트 라인과; 상기 게이트 라인과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 라인과; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터로부터 신장되어 상기 데이터 라인을 따라 중첩된 반도체 패턴과; 상기 반도체 패턴을 따라 중첩되어 상기 게이트 라인 및 데이터 라인을 절연시키는 게이트 절연 패턴과; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 이격되도록 상기 화소 영역에 형성되어 상기 박막 트랜지스터와 접속된 화소 전극과; 상기 게이트 라인 및 데이터 라인 각각과 접속되어질 패드 하부 전극, 상기 패드 하부 전극 아래에 중첩된 반도체 패턴 및 게이트 절연 패턴, 상기 패드 하부 전극으로부터 상기 게이트 절연 패턴까지 관통하는 컨택홀, 상기 컨택홀을 경유하면서 상기 패드 하부 전극과 접속되며 상기 패드 하부 전극 위에 상기 패드 하부 전극과 중첩되도록 형성되는 패드 상부 전극을 포함하는 패드와; 상기 화소 전극 및 패드 상부 전극과 경계를 이루는 보호막을 구비한다.</p> |
