晶体硅太阳能电池的钝化方法

摘要

本发明涉及太阳能电池钝化实现方法技术领域，特别是一种晶体硅太阳能电池的钝化方法。该方法为：在低温下用热氧化的方法在硅片的表面生长一层厚度为5-50nm的二氧化硅薄膜，温度范围为600℃-800℃，氧化时间为5-60min。二氧化硅薄膜作为太阳能电池的一层钝化层，在这层钝化层的表面另外再沉积一层钝化层，形成叠层的钝化膜来钝化电池的表面。本发明的有益效果是：在太阳能电池的表面多增加一层本发明所涉及的二氧化硅钝化膜，再加上一层如SiNx薄膜的钝化层之后，相对于单层的SiNx薄膜或高温下生长的二氧化硅薄膜的叠层钝化的钝化，效率可以提升0.2％以上，电压可以提高5-8mV，电流也有50-100mA的提升。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的钝化方法，其特征是：在低温下用热氧化的方法在硅片表面生长一层厚度为5‑50nm的二氧化硅薄膜(1)，温度范围为600℃‑800℃，氧化时间为5‑60min。