| 发明名称 | ESD保护元件 | ||
| 摘要 | 一种ESD保护元件，其特征在于，具备：第第1导电型半导体衬底；形成在所述半导体衬底的第1主表面上的输入信号电极；形成在所述半导体衬底的第2主表面的表面区域上的第2导电型基极区域；有选择地形成在所述第1导电型半导体衬底的所述第2导电型基极区域的表面区域上的第1导电型扩散区域；形成在所述第1导电型半导体衬底的第2主表面上、与所述第1导电型扩散区域电连接的电阻层；与所述第1导电型扩散区域电连接的信号输出电极；以及与所述电阻层电连接的接地电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1976028B | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
| 申请号 | CN200610162565.5 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 井上智树 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 一种ESD保护元件，其特征在于，具备：输入信号电极；输出信号电极；接地电极；连接在所述输入信号电极和所述输出信号电极之间的双向性的整流部；连接在所述输出信号电极和所述接地电极之间的第1电阻；以及在所述输出信号电极和所述接地电极之间与所述第1电阻并联连接的第1整流性元件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||