一种测量晶体硅太阳能电池表面接触电阻率的方法

摘要

本发明公开了一种测量晶体硅太阳能电池表面接触电阻率的方法，具体包括以下步骤：(1)由普通工艺完成晶体硅太阳能电池，在该工艺中使用统一型号网板；(2)将所得电池沿主栅方向从中取出一长条状结构作为电池测试样品，该电池测试样品表面具有数条栅线；(3)各栅线依次等间隔并列排布形成测试区域，由电池标准电流电压测试得到的特性参数计算单条栅线的工作电流I。，采用电流源表设定恒定输出电流I。，再依次测量首条栅线与其余栅线在恒定输出电流I。下的电压Vn；(4)根据栅线接触电阻rC和末端接触电阻RE，计算迁移长度LT和栅线下扩散层薄层电阻R’s，最后得出晶体硅太阳能电池表面接触电阻率ρC。本发明使用普通工艺制作的电池作为测量样品，无需另外制作网板，降低了电池制作的工艺难度和测量成本。

主权项

一种测量晶体硅太阳能电池表面接触电阻率的方法，其特征在于具体包括以下步骤：(1)采用普通工艺制作完成晶体硅太阳能电池，在该制作工艺中使用统一型号网板以在电池表面形成等间隔栅线；(2)将步骤(1)得到的电池沿主栅方向从中取出一长条状结构作为电池测试样品，电池上取出该测试样品的部位为中空，所述电池测试样品表面具有数条栅线；(3)各栅线依次等间隔并列排布形成测试区域，由电池标准电流电压测试得到的特性参数计算单条栅线的工作电流Io，采用电流源表设定恒定输出电流Io，再依次测量首条栅线与其余栅线在恒定输出电流Io下的电压Vn；其中，单条栅线的工作电流Io通过以下公式计算：Io＝(IMP/AC)×L×wIMP‑电池的最大功率点电流AC‑单晶硅片面积L、w‑电池测试样品的长、宽；(4)将步骤(3)得到的各栅线电压Vn依次根据各栅线序数n变化绘制成曲线Vn＝A+Bn；A‑拟合直线截距B‑拟合直线斜率；(5)根据曲线拟合直线截距A，计算得到所述测试区域的栅线接触电阻rC； V n = I 0 ( 2 r C + nL R S w ) r C = A 2 l n‑栅线序号L‑两相邻栅线之间的距离W‑栅线长度rC‑测试区域的栅线接触电阻RS‑扩散层方块电阻Io‑恒定输出电流；(6)测量末端接触电阻RE，分别列出关于栅线接触电阻rC和末端接触电阻RE的方程式，计算得出迁移长度LT和栅线下扩散层薄层电阻R’S；RE＝VE/IEVE‑次相邻与相邻栅线间的电压IE‑恒定电流；rC＝(LT/w)R′S coth(d/LT) R E = R ′ S L T w · 1 sinh ( d / L T ) w‑栅线长度d‑栅线宽度；(7)根据步骤(6)得到的计算结果，最后计算得出晶体硅太阳能电池表面接触电阻率ρC， ρ C = L T 2 R S ′ .