发明名称 | 射频压焊块等效电路电学模型 | ||
摘要 | 本发明公开了一种射频压焊块等效电路电学模型,包括串联电阻、介质层所带来的寄生电阻、介质层所带来的寄生电容、硅衬底所带来的寄生电阻、硅衬底所带来的寄生电容;所述介质层所带来的寄生电阻、寄生电容并接,所述硅衬底所带来的寄生电阻、寄生电容并接,所述介质层所带来的寄生电阻、寄生电容并接后一端接所述串联电阻的一端,另一端接所述硅衬底所带来的寄生电阻、寄生电容并接后的一端;然后以上述确定的射频压焊块等效电路电学模型的串联电阻的另一端作为射频端口,将硅衬底所带来的寄生电阻、寄生电容并接后的另一端接地,进行仿真。利用该射频压焊块等效电路电学模型进行射频压焊块仿真,仿真精度高。 | ||
申请公布号 | CN101727507B | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
申请号 | CN200810043906.6 | 申请日期 | 2008.11.04 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周天舒 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
主权项 | 一种射频压焊块等效电路电学模型,其特征在于,所述射频压焊块等效电路电学模型包括串联电阻、介质层所带来的寄生电阻、介质层所带来的寄生电容、硅衬底所带来的寄生电阻、硅衬底所带来的寄生电容;所述介质层所带来的寄生电阻同所述介质层所带来的寄生电容并接,所述硅衬底所带来的寄生电阻同所述硅衬底所带来的寄生电容并接,所述介质层所带来的寄生电阻同所述介质层所带来的寄生电容并接后一端接所述串联电阻的一端,另一端接所述硅衬底所带来的寄生电阻同所述硅衬底所带来的寄生电容并接后的一端;所述串联电阻的另一端作为进行仿真的射频端口,所述硅衬底所带来的寄生电阻同硅衬底所带来的寄生电容并接后的另一端在进行仿真时接地。 | ||
地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |