| 发明名称 | 具有改善的晶体取向的光伏装置 | ||
| 摘要 | 一种光伏装置，包括具有改善的碲化镉取向的半导体吸收层。 | ||
| 申请公布号 | CN102365707A | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
| 申请号 | CN201080014178.1 | 申请日期 | 2010.01.14 |
| 申请人 | 第一太阳能有限公司 | 发明人 | 杨宇;布伊尔·帕斯马科夫;赵志波 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩芳;郭鸿禧 |
| 主权项 | 一种光伏装置，所述光伏装置包括：透明导电氧化物层，与基底相邻；半导体双层，与透明导电氧化物层相邻，半导体双层包括与半导体窗口层相邻的半导体吸收层，其中，半导体吸收层包括取向晶化的半导体吸收层；背部接触，与半导体双层相邻。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州 | ||