发明名称 一种改进的800型硅单晶炉热场系统
摘要 本发明涉及一种硅单晶炉热场系统的改进方法,改进设计针对目前普遍使用的硅单晶炉且在维持原炉腔结构下进行,包括:加大保温筒、加热器的直径,加大坩埚的直径和高度,加大导流筒的直径和高度,并相应地加大埚托直径和厚度,调整托杆的尺寸以及石墨电极的直径和高度;保温层采用碳纤维固体毡并分设为上保温套、中保温套和下保温套;在保温盖上面设置挡圈。可实现硅单晶炉投料量增加,所生产的单晶硅棒直径加大和/或长度增长,从而提高成品太阳能电池的效能,提高硅材料利用率,降低单位能耗,提高生产效率,降低生产成本。
申请公布号 CN101864591B 申请公布日期 2012.02.29
申请号 CN201010194521.7 申请日期 2010.06.04
申请人 浙江芯能光伏科技有限公司 发明人 屠勇勇;李金甫
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/00(2006.01)I
代理机构 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人 吴关炳
主权项 1.一种改进的800型硅单晶炉热场系统,所述热场系统位于硅单晶炉炉腔内,包括石墨电极、加热器、坩埚、导流筒、保温筒、保温盖、保温层、埚托和托杆;其特征在于,所述的改进在维持所述硅单晶炉炉腔结构下进行,包括:(1)所述保温筒由上保温筒、中保温筒和下保温筒组成,上保温筒的外径和高度为<img file="FSB00000665024700011.GIF" wi="33" he="43" />688mm×195mm,中保温筒的外径和高度为<img file="FSB00000665024700012.GIF" wi="33" he="42" />688mm×470mm,下保温筒的外径和高度为<img file="FSB00000665024700013.GIF" wi="33" he="42" />688mm×255mm,当所述保温筒外侧设置保温层后,所述保温层与所述硅单晶炉炉腔内壁间留有一定间隙,间隙小但不相接触,使热场系统具有良好的保温性能;(2)所述加热器的外径和高度为<img file="FSB00000665024700014.GIF" wi="32" he="42" />628mm×600mm,使其与所述保温筒相适应;(3)所述坩埚的外径和高度为<img file="FSB00000665024700015.GIF" wi="33" he="40" />548mm×364mm,使其与所述加热器相适应,并所述坩埚的上端面设置于所述加热器的上端面以下;(4)所述导流筒由内导流筒和外导流筒组成,内导流筒的上端内径<img file="FSB00000665024700016.GIF" wi="32" he="42" />432mm、上端外沿直径<img file="FSB00000665024700017.GIF" wi="33" he="42" />500mm、下端内径<img file="FSB00000665024700018.GIF" wi="33" he="43" />278mm、下端外径<img file="FSB00000665024700019.GIF" wi="32" he="43" />300mm、高度349mm,外导流筒的上端内径<img file="FSB000006650247000110.GIF" wi="33" he="43" />456mm、上端外沿直径<img file="FSB000006650247000111.GIF" wi="32" he="42" />500mm、下端内径<img file="FSB000006650247000112.GIF" wi="33" he="42" />260mm、下端外径<img file="FSB000006650247000113.GIF" wi="33" he="42" />325.5mm、高度365mm,并设置所述导流筒的下端面恰好在所述坩埚的上端面以下;(5)所述埚托的外径和高度为<img file="FSB000006650247000114.GIF" wi="32" he="42" />474mm×89.6mm,使其与所述坩埚相适应;(6)所述托杆的尺寸作相应的调整;(7)所述石墨电极的外径和高度相应地调整为<img file="FSB000006650247000115.GIF" wi="33" he="42" />80mm×107mm。
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