| 发明名称 | 熔融硅的冷却块状物及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供适合用于太阳能电池用结晶型硅锭制造的高纯度多晶硅原料用的冷却块状物及其制造方法。本发明的熔融硅冷却块状物为通过使熔融的硅落下并接收到接收容器中而制得的硅冷却块状物，该冷却块状物含有气泡的同时，(i)表观密度为1.5g/cm3以上、2.3g/cm3以下，而且(ii)压缩强度为5MPa以上、50MPa以下。本发明的熔融硅的冷却块状物的制造方法是使熔融的硅落下并接收到接收容器中而制造硅冷却块状物时，接收熔融硅的容器的表面温度为0℃以上、1000℃以下，而且该接收容器内以1×10-3～5×10-1g/sec·cm2的速度接收熔融硅的熔融硅的冷却块状物的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1956921B | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
| 申请号 | CN200580016098.9 | 申请日期 | 2005.05.23 |
| 申请人 | 德山株式会社 | 发明人 | 若松智;中岛淳一郎;杉村繁树 |
| 分类号 | C01B33/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 熔融硅冷却块状物，它是通过使熔融的硅落下并接收到接收容器中而制得的硅冷却块状物，其特征在于，该冷却块状物含有气泡的同时，(i)表观密度为1.5g/cm3以上、2.3g/cm3以下，而且(ii)压缩强度为5MPa以上、50MPa以下。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||