| 摘要 |
1. Способ ближнеполевой нанолитографии, содержащий ! a) обеспечение подложки, имеющей слой, чувствительный к излучению, на поверхности упомянутой подложки, ! b) обеспечение вращаемой маски, имеющей нанорисунок на внешней поверхности упомянутой вращаемой маски, ! c) соприкосновение упомянутого нанорисунка с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки, ! d) распределение излучения через упомянутый нанорисунок при вращении упомянутой вращаемой маски по упомянутому слою, чувствительному к излучению, посредством чего создают изображение, имеющее размер элемента в диапазоне от менее чем 1 мкм ниже до около 1 нм в упомянутом слое, чувствительном к излучению. ! 2. Способ по п.1, в котором упомянутый размер элемента варьируется от около 100 нм ниже до около 10 нм. ! 3. Способ по п.1, в котором упомянутое излучение имеет длину волны 436 нм или менее. ! 4. Способ по п.1, в котором упомянутый нанорисунок является податливым нанорисунком, который согласуется с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки. ! 5. Способ по п.4, в котором упомянутый податливый нанорисунок является сформованным или наноструктурированным полимерным материалом. ! 6. Способ по п.3, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой фазосдвигающую маску, которая заставляет излучение формировать интерференционную картину в упомянутом слое, чувствительном к излучению. ! 7. Способ по п.3, в котором упомянутая маска использует поведение поверхностных плазмонов. ! 8. Способ по п.1, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой цилиндр. ! 9. Способ по п.8, в котором упомянутый цилиндр и |
