发明名称 PROCEDE DE COLLAGE A BASSE TEMPERATURE
摘要 <p>L'invention concerne un procédé d'assemblage d'un premier élément comportant au moins un premier substrat (2) ou au moins une puce, et d'un deuxième élément comportant au moins un second substrat (12), ce procédé comportant : a) la formation d'une couche superficielle (4, 4' , 4' , 4' , 4' , 14), dite couche de collage, sur chaque substrat, l'une au moins de ces couches de collage étant formée à une température inférieure ou égale à 300° C C ; b) un premier recuit, dit recuit de dégazage, des couches de collage, avant assemblage, au moins en partie à une température au moins égale à la température ultérieure (T ) de renforcement de l'interface de collage, mais inférieure à 450°C, c) un assemblage des substrats par mise en contact des surfaces exposées des couches de collage (4, 4' , 4' , 4' , 4' , 14), d) un recuit de la structure assemblée à une température de renforcement (T ) de l'interface de collage, inférieure à 450°C.</p>
申请公布号 FR2963982(A1) 申请公布日期 2012.02.24
申请号 FR20100056696 申请日期 2010.08.20
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 发明人 GAUDIN GWELTAZ
分类号 H01L21/302;H01L21/324;H01L23/12 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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