CONTROL DE POTENCIA DE TRANSISTOR DE UNA LINEA DE PALABRAS PARA LECTURA Y ESCRITURA EN MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO MAGNETORRESISTIVA DE TRANSFERENCIA DE PAR DE ESPIN.

摘要

Una memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva (400) de transferencia de par de espín (STT-MRAM) que comprende: una célula (401) de bit que tiene una unión (405) de túnel magnético (MTJ) y un transistor (410) de línea de palabras, en la que la célula de bit está acoplada a una línea (420) de bits y una línea fuente (440); caracterizada por un controlador (432) de la línea de palabras acoplado a una compuerta del transistor de línea de palabras, en la que el controlador de la línea de palabras está configurado para proporcionar una primera tensión para una operación de escritura y una segunda tensión durante una operación de lectura, y en la que la primera tensión es mayor que la segunda tensión.