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Halbleiterbauelement, umfassend: – ein Halbleitersubstrat; – eine dielektrische Zwischenschicht auf dem Halbleitersubstrat, die ein Damaszener-Muster hat; – eine Diffusions-Barriere, die aus CoFeB besteht und die in dem Damaszener-Muster ausgebildet ist, wobei der Prozentsatz von Co im Zusammensetzungsverhältnis von Co:Fe:B im Bereich von 30% bis 70% liegt, wobei der Prozentsatz von Fe im Zusammensetzungsverhältnis von Co:Fe:B im Bereich von 30% bis 70% liegt und wobei der Prozentsatz von B im Zusammensetzungsverhältnis von Co:Fe:B im Bereich von 5% bis 10% liegt; – eine Keimschicht, die auf der Diffusions-Barriere ausgebildet ist; und – eine auf der Keimschicht ausgebildete Verbindung aus Kupfer.
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