发明名称 |
OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS |
摘要 |
<p>Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei in dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ein Emissionsbereich (23) und ein Detektionsbereich (24) gebildet sind. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und im Emissionsbereich (23) zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich (20) hindurch erstreckt; Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) über eine erste Anschlussschicht (31) elektrisch leitend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht (31) in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt; Die zweite Halbleiterschicht (22) ist über eine zweite Anschlussschicht (32) mit einem zweiten Kontakt (42) elektrisch leitend verbunden. Der Detektionsbereich (24) ist mit einem zusätzlichen Kontakt (43) elektrisch leitend verbunden. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.</p> |
申请公布号 |
WO2012022657(A1) |
申请公布日期 |
2012.02.23 |
申请号 |
WO2011EP63715 |
申请日期 |
2011.08.09 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;MOOSBURGER, JUERGEN;NEUREUTHER, CHRISTOPH;VON MALM, NORWIN |
发明人 |
MOOSBURGER, JUERGEN;NEUREUTHER, CHRISTOPH;VON MALM, NORWIN |
分类号 |
H01L25/16;H01L27/15;H01L31/173;H01L33/00;H01L33/38;H05B37/03 |
主分类号 |
H01L25/16 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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