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Lichtemittierende Halbleitervorrichtung (100) umfassend eine lichtemittierende Struktur (110) umfassend eine erste leitfähige Halbleiterschicht (111), eine aktive Schicht (113) unter der ersten leitfähigen Halbleiterschicht und eine zweite leitfähige Halbleiterschicht (115) unter der aktiven Schicht, eine reflektive Schicht (120) umfassend einen ersten Stoff (121) mit einem ersten Brechungsindex und einem zweiten Stoff (131) mit einem zweiten Brechungsindex unter der lichtemittierenden Struktur, eine erste Elektrode (151), die auf der ersten leitfähigen Halbleiterschicht (111) ausgebildet ist, eine zweite Elektrodenschicht (140, 150) unter der reflektiven Schicht (120), wobei die reflektive Schicht (120) eine konkav-konvexe Form oder eine Form einer Vielzahl von Inseln aufweist und die zweite Elektrodenschicht in elektrischem Kontakt mit der reflektiven Schicht (120) und der lichtemittierenden Struktur (110) steht, wobei die erste leitfähige Halbleiterschicht (111) eine glatte Oberfläche aufweist, an der die erste Elektrode (151) angeordnet ist, während eine Anrauung (112) auf einem anderen Abschnitt der oberen... |
