| 摘要 |
<p>Es wird ein neuer IGBT in Planartechnologie vorgestellt, bei dem durch Einführung einer Abschirmungszone (13), die um die Basiszone (5) angeordnet ist, die Minoritätsladungsträgerdichte an der Katodenseite des IGBTS angehoben wird, was zu einer Reduzierung der Durchlaßspannung (VCESat) führt. Das aufgrund des Konzentrationsgefälles zwischen der Abschirmungszone (13) und der Basiszone (6) entstehende Driftfeld bewirkt, daß die Innenzone (2) nicht mehr als Senke für die Minoritätsladungsträger wirkt. Damit die Durchbruchspannung des IGBT durch die Einführung der Abschirmungszone (13) nicht reduziert wird, wird ein nicht angeschlossenes, floatendes Gebiet hoher Leitfähigkeit im Bereich der Innenzone angeordnet, dessen unterer Rand (16) tiefer in der Innenzone (2) liegt als der untere Rand (14) der Abschirmungszone (13). Das nicht angeschlossene floatende Gebiet (15) ist vom entgegengesetzten Leitungstyp wie die Abschirmungszone (13) und die Innenzone (2).</p> |
