具有大而均匀的电流的大阵列上指PIN二极管及其形成方法

摘要

本发明公开了一种沉积硅、锗、或硅锗形成的上指PIN二极管。该二极管具有底层重掺杂P型区、中间本征或轻掺杂区和上层重掺杂N型区。上层重掺杂P型区掺杂砷，并且二极管的半导体材料在接触合适的硅化物、锗化物或硅锗化物时被结晶。可以形成大阵列的此上指二极管，当在二极管上施加大于导通电压的电压时，穿过该阵列的电流均匀性极佳。该二极管可以有利地用于单片三维存储器阵列中。本发明还公开了形成大量上指PIN二极管的方法和许多其他方面。

主权项

在衬底上形成的第一器件级，所述第一器件包括多个垂直取向的PIN二极管，每个PIN二极管包括底层重掺杂P型区，中间本征或轻掺杂区和上层重掺杂N型区；其中每个PIN二极管具有柱的形状；其中，对于至少99％的所述PIN二极管，当在所述底层重掺杂P型区和所述上层重掺杂N型区之间施加的电压为1.5伏到3.0伏之间时，流过所述PIN二极管的电流至少为1.5微安；其中所述衬底包括单晶硅；其中所述PIN二极管包括沉积的硅、锗、或硅锗；其中第一多个PIN二极管包括所述第一器件级上的每个PIN二极管。