发明名称 |
整流二极管制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种整流二极管制造方法,改进现有技术的生产工艺,提高器件性能。本发明的整流二极管制造方法在管芯制作的扩散工序中,在进行P区杂质扩散时采用二次扩散工艺,在N-型单晶硅片上形成四层结构,即N+层、N-层、P-层和P+层,得到四层结构的管芯,提高了P区载流子有效浓度,并且改善了表面欧姆接触层的合金质量,降低了接触电阻,有效载流面积有所提高。本发明调整了工序流程,在焊接引线之前进行管芯腐蚀,有利于得到合适的晶粒形状,在焊接引线前先形成PN结台面,减少化学药剂使用量,大大的降低了二极管行业的污染。 |
申请公布号 |
CN102361009A |
申请公布日期 |
2012.02.22 |
申请号 |
CN201110322164.2 |
申请日期 |
2011.10.21 |
申请人 |
四川太晶微电子有限公司 |
发明人 |
李治刿;张剑;俞建;李驰明 |
分类号 |
H01L21/329(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/329(2006.01)I |
代理机构 |
成都虹桥专利事务所 51124 |
代理人 |
李顺德 |
主权项 |
整流二极管制造方法,包括如下步骤:a、在N‑型单晶硅片一面扩散5价元素,形成N+层;b、在所述单晶硅片另一面扩散3价元素,经过2次扩散分别形成P‑层和P+层;c、在所述N+层和P+层表面形成欧姆接触层;d、对上述加工完成的硅片进行切割,得到管芯;e、对所述管芯进行腐蚀,消除切割伤痕并形成管芯形状;f、对管芯进行清洗后,在N+层和P+层表面形成的欧姆接触层上焊接引线;g、涂覆保护层;h、塑封成型。 |
地址 |
629000 四川省遂宁市开发区德泉路微电子工业园四川太晶微电子有限公司 |