| 发明名称 | 光电二极管、用于制造这种光电二极管的方法、光学通信设备和光学互连模块 | ||
| 摘要 | 光电二极管的高光接收灵敏度和高速被同时实现。所述光电二极管设置有半导体层(1)和一对金属电极(2)，所述金属电极(2)以间隔(d)设置在半导体层(1)的表面上，并且形成MSM结。所述间隔(d)满足关系λ>d>λ/100，其中λ是入射光的波长。所述金属电极(2)能够感生表面等离子体。所述电极中的至少一个与半导体层(1)形成肖特基结，并且下端部分嵌入半导体层(1)中到小于λ/2n的深度的位置，其中n是半导体层(1)的折射率。 | ||
| 申请公布号 | CN101438419B | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN200780016396.7 | 申请日期 | 2007.03.08 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 藤方润一;大桥启之 |
| 分类号 | H01L31/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种光电二极管，包括：半导体层；以及一对金属电极，以间隔d设置在所述半导体层的表面上，该对金属电极形成MSM结，其中所述间隔d满足关系λ＞d＞λ/100，其中λ是入射光的波长，并且其中，所述对金属电极能够感生表面等离子体，并且所述对金属电极中的至少一个电极与所述半导体层形成肖特基结，并且所述对金属电极的下端以小于λ/2n的深度嵌入所述半导体层中，其中n是所述半导体层的折射率，并且其中，所述对金属电极堆叠在所述半导体层上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||