发明名称 抗单粒子翻转的可复位D触发器
摘要 本发明公开了一种抗单粒子翻转的可复位D触发器,目的是提高可复位D触发器抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、复位缓冲电路、主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路组成,主锁存器由十二个PMOS管和十二个NMOS管组成,从锁存器由十二个PMOS管和十二个NMOS管组成,主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固,主锁存器和从锁存器中C2MOS电路也进行了改进,即分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管。本发明抗单粒子翻转的可复位D触发器的抗单粒子翻转能力强,适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库,应用于航空、航天等领域。
申请公布号 CN102361442A 申请公布日期 2012.02.22
申请号 CN201110323795.6 申请日期 2011.10.21
申请人 中国人民解放军国防科学技术大学 发明人 孙永节;李鹏;池雅庆;刘必慰;梁斌;刘真;陈建军;何益百;杜延康;秦军瑞
分类号 H03K3/013(2006.01)I;H03K3/02(2006.01)I 主分类号 H03K3/013(2006.01)I
代理机构 国防科技大学专利服务中心 43202 代理人 郭敏
主权项 一种抗单粒子翻转的可复位D触发器,抗单粒子翻转的可复位D触发器由时钟电路、复位缓冲电路、主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路组成,有三个输入端和两个输出端;三个输入端分别是CK即时钟信号输入端、D即数据信号输入端和RN即复位输入信号,两个输出端分别是Q和QN,Q和QN输出一对相反的数据信号;时钟电路有一个输入端和两个输出端,输入端为CK,输出端为C、CN;时钟电路为一个两级反相器,由第一级反相器和第二级反相器组成;第一级反相器由第一PMOS管和第一NMOS管组成,第一PMOS管的栅极Pg1连接CK,漏极Pd1连接第一NMOS管的漏极Nd1,并作为时钟电路的一个输出端CN;第一NMOS管的栅极Ng1连接CK,漏极Nd1连接Pd1;第二级反相器由第二PMOS管和第二NMOS管组成,第二PMOS管的栅极Pg2连接CN,漏极Pd2连接第二NMOS管的漏极Nd2,并作为时钟电路的另一个输出端C;第二NMOS管的栅极Ng2连接CN,漏极Nd2连接Pd2;第一PMOS管和第二PMOS管的衬底连接电源VDD,源极Ps1、Ps2也连接电源VDD;第一NMOS管和第二NMOS管的衬底接地VSS,源极Ns1、Ns2也接地VSS;复位缓冲电路有一个输入端和一个输出端,输入端为RN,输出端为R;复位缓冲电路为一个一级反相器,其中第三十PMOS管的栅极Pg30连接RN,漏极Pd30连接第三十NMOS管的漏极Nd30并作为复位缓冲电路的输出R,源极Ps30连接电源VDD,衬底接电源VDD;第三十NMOS管栅极Ng30连接RN,漏极Nd30连接Pd30,源极Ns30接地VSS,衬底接地VSS;输出缓冲电路有一个输入端和两个输出端,一个输入端为SO,两个输出端为QN、Q;输出缓冲电路包括三个PMOS管和三个NMOS管,输出缓冲电路中所有PMOS管的衬底连接电源VDD,所有NMOS管的衬底接地VSS;第二十七PMOS管的栅极Pg27连接SO,漏极Pd27连接第二十七NMOS管的漏极Nd27,源极Ps27连接电源VDD;第二十八PMOS管的栅极Pg28连接SO,漏极Pd28连接第二十八NMOS管的漏极Nd28并作为输出缓冲电路的一个输出QN,源极Ps28连接电源VDD;第二十九PMOS管的栅极Pg29连接Pd27,漏极Pd29连接第二十九NMOS管的漏极Nd29并作为输出缓冲电路的一个输出Q,源极Ps29连接电源VDD;第二十七NMOS管的栅极Ng27连接SO,漏极Nd27连接Pd27,源极Ns27接地VSS;第二十八NMOS管的栅极Ng28连接SO,漏极Nd28连接Pd28,源极Ns28接地VSS;第二十九NMOS管的栅极Ng29连接Pd27,漏极Nd29连接Pd29,源极Ns29接地VSS;主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器,主锁存器和从锁存器前后串联,并均与时钟电路和复位缓冲电路连接,从锁存器还与输出缓冲电路相连接;其特征在于主锁存器有四个输入端和一个输出端,四个输入端为D、C、CN、R,一个输出端为MO;主锁存器包括十二个PMOS管和十二个NMOS管,主锁存器中所有PMOS管的衬底连接电源VDD,所有NMOS管的衬底接地VSS;第三PMOS管的栅极Pg3连接D,漏极Pd3连接第四PMOS管的源极Ps4,源极Ps3连接电源VDD;第四PMOS管的栅极Pg4连接C,漏极Pd4连接第三NMOS管的漏极Nd3,源极Ps4连接Pd3;第五PMOS管的栅极Pg5连接D,漏极Pd5连接第六PMOS管的源极Ps6,源极Ps5连接电源VDD;第六PMOS管的栅极Pg6连接C,漏极Pd6连接第五NMOS管的漏极Nd5,源极Ps6连接Pd5;第七PMOS管的栅极Pg7连接R,漏极Pd7连接第八PMOS管的源极Ps8,源极Ps7连接电源VDD;第八PMOS管的栅极Pg8连接Pd6,漏极Pd8连接第七NMOS管的漏极Nd7并作为主锁存器的输出MO,源极Ps8连接Pd7;第九PMOS管的栅极Pg9连接R,漏极Pd9连接第十PMOS管的源极Ps10,源极Ps9连接电源VDD;第十PMOS管的栅极Pg10连接Pd4,漏极Pd10连接第九NMOS管的漏极Nd9,源极Ps10连接Pd9;第十一PMOS管的栅极Pg11连接Pd10,漏极Pd11连接第十二PMOS管的源极Ps12,源极Ps11连接电源VDD;第十二PMOS管的栅极Pg12连接CN,漏极Pd12连接第十一NMOS管的漏极Nd11,源极Ps12连接Pd11;第十三PMOS管的栅极Pg13连接Pd8,漏极Pd13连接第十四PMOS管的源极Ps14,源极Ps13连接电源VDD;第十四PMOS管的栅极Pg14连接CN,漏极Pd14连接第十三NMOS管的漏极Nd13,源极Ps14连接Pd13;第三NMOS管的栅极Ng3连接CN,漏极Nd3连接Pd4,源极Ns3连接第四NMOS管的漏极Nd4;第四NMOS管的栅极Ng4连接D,漏极Nd4连接Ns3,源极Ns4接地VSS;第五NMOS管的栅极Ng5连接CN,漏极Nd5连接Pd6,源极Ns5连接第六NMOS管的漏极Nd6;第六NMOS管的栅极Ng6连接D,漏极Nd6连接Ns5,源极Ns6接地VSS;第七NMOS管的栅极Ng7连接Pd4,漏极Nd7连接Pd8,源极Ns7接地VSS;第八NMOS管的栅极Ng8连接R,漏极Nd8连接Pd8,源极Ns8接地VSS;第九NMOS管的栅极Ng9连接Pd6,漏极Nd9连接Pd10,源极Ns9接地VSS;第十NMOS管的栅极Ng10连接R,漏极Nd10连接Pd10,源极Ns10接地VSS;第十一NMOS管的栅极Ng11连接C,漏极Nd11连接Pd12,源极Ns11连接第十二NMOS管的漏极Nd12;第十二NMOS管的栅极Ng12连接Pd8,漏极Nd12连接Ns11,源极Ns12接地VSS;第十三NMOS管的栅极Ng13连接C,漏极Nd13连接Pd14,源极Ns13连接第十四NMOS管的漏极Nd14;第十四NMOS管的栅极Ng14连接Pd10,漏极Nd14连接Ns13,源极Ns14接地VSS;从锁存器有四个输入端和一个输出端,四个输入端为MO、C、CN、R,一个输出端为SO;从锁存器包括十二个PMOS管和十二个NMOS管,从锁存器中所有PMOS管的衬底连接电源VDD,所有NMOS管的衬底接地VSS;第十五PMOS管的栅极Pg15连接MO,漏极Pd15连接第十六PMOS管的源极Ps16,源极Ps15连接电源VDD;第十六PMOS管的栅极Pg16连接CN,漏极Pd16连接第十五NMOS管的漏极Nd15,源极Ps16连接Pd15;第十七PMOS管的栅极Pg17连接MO,漏极Pd17连接第十八PMOS管的源极Ps18,源极Ps17连接电源VDD;第十八PMOS管的栅极Pg18连接CN,漏极Pd18连接第十七NMOS管的漏极Nd17,源极Ps18连接Pd17;第十九PMOS管的栅极Pg19连接R,漏极Pd19连接第二十PMOS管的源极Ps20,源极Ps19连接电源VDD;第二十PMOS管的栅极Pg20连接Pd18,漏极Pd20连接第十九NMOS管的漏极Nd19并作为从锁存器的输出端SO,源极Ps20连接Pd19;第二十一PMOS管的栅极Pg21连接R,漏极Pd21连接第二十二PMOS管的源极Ps22,源极Ps21连接电源VDD;第二十二PMOS管的栅极Pg22连接Pd16,漏极Pd22连接第二十一NMOS管的漏极Nd21,源极Ps22连接Pd21;第二十三PMOS管的栅极Pg23连接Pd22,漏极Pd23连接第二十四PMOS管的源极Ps24,源极Ps23连接电源VDD;第二十四PMOS管的栅极Pg24连接C,漏极Pd24连接第二十三NMOS管的漏极Nd23,源极Ps24连接Pd23;第二十五PMOS管的栅极Pg25连接Pd20,漏极Pd25连接第二十六PMOS管的源极Ps26,源极Ps25连接电源VDD;第二十六PMOS管的栅极Pg26连接C,漏极Pd26连接第二十五NMOS管的漏极Nd25,源极Ps26连接Pd25;第十五NMOS管的栅极Ng15连接C,漏极Nd15连接Pd16,源极Ns15连接第十六NMOS管的漏极Nd16;第十六NMOS管的栅极Ng16连接MO,漏极Nd16连接Ns15,源极Ns16接地VSS;第十七NMOS管的栅极Ng17连接C,漏极Nd17连接Pd18,源极Ns17连接第十八NMOS管的漏极Nd18;第十八NMOS管的栅极Ng18连接MO,漏极Nd18连接Ns17,源极Ns18接地VSS;第十九NMOS管的栅极Ng19连接Pd16,漏极Nd19连接Pd20,源极Ns19接地VSS;第二十NMOS管的栅极Ng20连接R,漏极Nd20连接Pd20,源极Ns20接地VSS;第二十一NMOS管的栅极Ng21连接Pd18,漏极Nd21连接Pd22,源极Ns21接地VSS;第二十二NMOS管的栅极Ng22连接R,漏极Nd22连接Pd22,源极Ns22接地VSS;第二十三NMOS管的栅极Ng23连接CN,漏极Nd23连接Pd24,源极Ns23连接第二十四NMOS管的漏极Nd24;第二十四NMOS管的栅极Ng24连接Pd20,漏极Nd24连接Ns23,源极Ns24接地VSS;第二十五NMOS管的栅极Ng25连接CN,漏极Nd25连接Pd26,源极Ns25连接第二十六NMOS管的漏极Nd26;第二十六NMOS管的栅极Ng26连接Pd22,漏极Nd26连接Ns25,源极Ns26接地VSS。
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