背照式CMOS图像传感器

摘要

一种背照式图像传感器(500)包括设置于绝缘层(604)与电连接至传感器层的电路层之间的传感器层(606)。成像区域包括形成于该传感器层与一横跨该成像区域的阱(800)中的多个光电检测器(616)。该阱可设置于该传感器层的背面与光电检测器之间，或该阱可以是毗邻该传感器层的背面形成的掩埋阱，其包含形成于该光电检测器与掩埋阱之间的区域。一个或多个侧阱可毗邻每一个光电检测器横向地形成。该阱中的掺杂剂具有偏析系数，该偏析系数使该掺杂剂积聚于该传感器层与该绝缘层之间的界面(704)的该传感器层侧上。

主权项

一种背照式图像传感器，其包括：传感器层，其设置于绝缘层与电连接至所述传感器层的电路层之间，其中所述传感器层的正面毗邻所述电路层，且所述传感器层的背面毗邻所述绝缘层；成像区域，其包括多个光电检测器，用于将入射在所述传感器层的背面上的光转换为光生电荷，其中所述多个光电检测器掺杂有p型掺杂剂，且毗邻所述传感器层的正面设置在所述传感器层中；以及阱，其横跨所述成像区域，且毗邻所述传感器层的背面形成在所述传感器层的至少一部分中，其中所述阱掺杂有n型掺杂剂，所述n型掺杂剂具有偏析系数，所述偏析系数使所述n型掺杂剂积聚于所述传感器层的背面与所述绝缘层之间的界面的传感器层侧上。