发明名称 硅基金属合金薄膜、具该薄膜的外壳和电子装置及制造方法
摘要 本发明的硅基金属合金薄膜的硅含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为金属,所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。另外,将所述硅基金属合金薄膜设置在外壳,例如:电子装置的壳体表面,就可制成具硅基金属合金薄膜的电子装置。本发明的所述硅基金属合金薄膜不会对任何电磁波信号产生衰减,且具金属光影和质感以增加产品价值,而且具有不易变色、生产良率高、批次间色泽差异小、耐候性佳、附着性强、半成品储存时间长等功效。而且,所述硅基金属合金薄膜可直接应用于高产率的模内射出工艺,以增加产量,且可利用成本较低的直流溅镀方法制造,所以可降低生产成本。
申请公布号 CN101619437B 申请公布日期 2012.02.22
申请号 CN200810133013.0 申请日期 2008.07.04
申请人 中国钢铁股份有限公司 发明人 董寰乾;邱军浩;张瑞东;洪胤庭;李至隆
分类号 C23C14/14(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C23C14/14(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 颜志祥
主权项 一种硅基金属合金薄膜,其中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比,其余重量百分比为金属,所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。
地址 中国台湾高雄