| 主权项 |
1.一种金氧半导体之制造方法,其包括:提供一基底;于该基底上形成图案化之一氧化矽层、一多晶矽层与一顶盖层;于该基底中形成一源极/汲极区;于该基底上形成一绝缘层;进行该绝缘层之平坦化制程,直到裸露出该顶盖层之表面;剥除该顶盖层,以形成一开口;以该绝缘层为罩幕,进行一自行对准选择区域布植制程;以及于该开口中形成一导电闸极层。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体之制造方法,其中该自行对准选择区域布植制程包括一起始电压调整离子布植步骤。3.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体之制造方法,其中该自行对准选择区域布植制程包括一抗击穿离子布植步骤。4.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体之制造方法,其中形成该导电闸极层之方法更包括一平坦化制程。5.如申请专利范围第4项所述之金氧半导体之制造方法,其中该平坦化方法包括化学机械研磨法。6.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体之制造方法,其中该顶盖层之蚀刻速率与该绝缘层具有不同之蚀刻速率。7.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体之制造方法,其中形成该源极/汲极区步骤之后与形成该绝缘层步骤之前更包括进行一自行对准金属矽化物制程,以在该源极/汲极区形成一矽化金属物层。8.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体之制造方法,其中该绝缘层之平坦化方法包括化学机械研磨法。9.如申请专利范围第2项所述之金氧半导体之制造方法,其中该绝缘层之平坦化方法包括化学机械研磨法。10.如申请专利范围第3项所述之金氧半导体之制造方法,其中该绝缘层之平坦化方法包括化学机械研磨法。11.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体之制造方法,其中该自行对准选择区域布植制程步骤之后与形成该导电闸极层步骤前更包括在该基底上形成共形之一阻障层。12.如申请专利范围第11项所述之金氧半导体之制造方法,其中该导电闸极层之材质包括金属铜,该阻障层之材质包括钽/氮化钽。13.如申请专利范围第11项所述之金氧半导体之制造方法,其中该导电闸极层之材质包括金属钨,该阻障层之材质包括钛/氮化钛。14.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体之制造方法,其中形成该源极/汲极区之前更包括于该氧化层、该多晶矽层与该顶盖层之侧壁形成一间隙壁。15.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体之制造方法,其中于该开口中形成一导电闸极层的步骤包括:于该基底上形成一导体层,使其覆盖该绝缘层,并填满该开口;以及以化学机械研磨法去除覆盖该绝缘层上之该导体层,以在该开口中形成一导电闸极层。16.如申请专利范围第2项所述之金氧半导体之制造方法,其中于该开口中形成一导电闸极层的步骤包括:于该基底上形成一导体层,使其覆盖该绝缘层,并填满该开口;以及以化学机械研磨法去除覆盖该绝缘层上之该导体层,以在该开口中形成一导电闸极层。17.如申请专利范围第3项所述之金氧半导体之制造方法,其中于该开口中形成一导电闸极层的步骤包括:于该基底上形成一导体层,使其覆盖该绝缘层,并填满该开口;以及以化学机械研磨法去除覆盖该绝缘层上之该导体层,以在该开口中形成一导电闸极层。18.如申请专利范围第9项所述之金氧半导体之制造方法,其中于该开口中形成一导电闸极层的步骤包括:于该基底上形成一导体层,使其覆盖该绝缘层,并填满该开口;以及以化学机械研磨法去除覆盖该绝缘层上之该导体层,以在该开口中形成一导电闸极层。19.如申请专利范围第10项所述之金氧半导体之制造方法,其中于该开口中形成一导电闸极层的步骤包括:于该基底上形成一导体层,使其覆盖该绝缘层,并填满该开口;以及以化学机械研磨法去除覆盖该绝缘层上之该导体层,以在该开口中形成一导电闸极层。图式简单说明:第一图A至第一图D系显示习知一种选择区域布植金属闸极MOS的制造流程剖面图。第二图A至第二图G系显示根据本发明较佳实施例之MOS的制造流程剖面图。 |
