| 主权项 |
1.一种制造半导体装置的方法,其包含下列步骤:在一半导体基材上形成一配线层;使用一阻图案作为光罩藉由乾蚀刻该配线层,以形成一配线圈案;将此配线圈案沈浸于含有胺的液体中,以移除在乾蚀刻中所生成的沈积残留物;利用不含胺但含有可移除沈积残留物之离子或自由基的流体来处理该沈浸于含有胺液体中之配线图案;在该处理过的配线圈案上形成一共形绝缘层;利用CVD在该共形绝缘层上形成一有平面化功能的绝缘层。2.依据申请专利范围第1项的方法,其中该形成具有该平面化功能的该绝缘层的步骤,包含藉由常压CVD形成一绝缘层的该步骤。3.依据申请专利范围第1项的方法,其中该配线层含有一阻隔金属层与主要配线层之积层。4.依据申请专利范围第3项的方法,其中该配线层含有一在该积层上积层的抗反射膜。5.依据申请专利范围第3项的方法,其中该阻隔金属层是一氮化钛层,或在钛层上形成钛层及氮化钛层积层。6.依据申请专利范围第3项的方法,其中该主要配线层含有一钨层,一铝铜合金层,一铝铜矽合金层,及在铜层上有铜层及氮化钛层积层之一。7.依据申请专利范围第1项的方法,其中该含有有机胺的液体包含一级、二级和三级胺中之一者。8.依据申请专利范围第1至7项任一项的方法,其中该流体处理该配线图案的步骤,包含将该配线图案沈浸于含氟化合物或氯的液体之步骤。9.依据申请专利范围第1至7项任一项的方法,其中该流体处理该配线图案的步骤包含将该基材暴露于氧电浆的步骤。10.依据申请专利范围第1至7项任一项的方法,其中该共形绝缘层是一具有第一层与一在该第一层上形成之第二层之积层,该第一层较该第二层致密,且在作为具平面化功能的该绝缘膜的下层时,该第二层较该第一层有更优异的性质。11.依据申请专利范围第10项的方法,其中该第一层的该组成包含矽25原子%-45原子%,氧30原子%-65原子%,氮0原子%-25原子%,氢0.01原子%-25原子%,氩0.001原子%-3原子%,氟0.001原子%-25原子%,硼0.001原子%-10原子%,磷0.001原子%-10原子%,与碳0.001原子%-50原子%。12.依据申请专利范围第10项的方法,其中该第二层的该组成包含矽25原子%-35原子%,氧45原子%-70原子%,氮0.0001原子%-3.0原子%,氢0.0001原子%-5原子%,氩0.0001原子%-3原子%,氟0.00010原子%-15原子%,磷0.0001原子%-10原子%,与碳0.0001原子%-2原子%。13.依据申请专利范围第1至7项任一项的方法,其中该用于形成该共形绝缘膜之步骤中的该第一来源气体,是为一种下列材料或由二至五种下列材料的组合:矽烷、乙矽烷、Si(OC-R)4.HSi(OC-R)3.四氟矽烷、二氟矽烷、六氟乙烷、FSi(OC-R)3.F2Si(OC-R)2.R-PH2.R2-PH、乙硼烷、P(O-R)3.PO(O-R)3R3-B、R2-BH、R-BH2.B(O-R)3.三氟化硼、FB(O-R)2.F2B(O-R)2,其中R是烷氧基;而该第二来源气体系为一种下列材料或由二至五种下列材料的组合:一氧化二氮、氧气、臭氧、氧、氟氧、氨气、稀有气体和氮气。14.依据申请专利范围第1至7项任一项的方法,其中有该平面化功能的该绝缘层之该成分含有矽25原子%-45原子%,氧30原子%-65原子%,氮0.001原子%-25原子%,氢0.001原子%-25原子%,氩0.001原子%-3原子%,氟0.001原子%-25原子%,硼0.001原子%-10原子%,磷0.001原子%-10原子%,与碳0.001原子%-50原子%。15.依据申请专利范围第14项的方法,其中在用于形成有该平面化功能的该绝缘层之步骤中的该第一来源气体,是由一种下述材料或由二至三种之下述材料的组合:矽烷、乙矽烷、Si(OC-R)4.HSi(OC-R)3.四氟矽烷、二氟矽烷、六氟乙烷、FSi(OC-R)3.F2Si(OC-R)2.R-PH2.R2-PH、乙硼烷、P(O-R)3.PO(O-R)3R3-B、R2-BH、R-BH2.B(O-R)3.三氟化硼、FB(O-R)2.F2B(O-R)2,其中R是烷氧基;而该第二来源气体是由一种下列材料或由二至三种下列材料的组合:氧气、臭氧、氧、氟氧、稀有气体和氮气。图式简单说明:第一图A-第一图F是说明依照本发明的一具体化之制造半导体装置的方法之截面图。第二图A-第二图C是说明用以帮助了解本发明之比较例子的截面图。第三图A-第三图C是说明DRAMs的制造程序。 |
