发明名称 |
一种形成浅沟渠隔离的方法 |
摘要 |
一种形成浅沟渠隔离的方法,首先提供一基材,其包含一沟渠,在沟渠中依序形成有第一内衬层与第二内衬层,且以第一氧化物填满沟渠。其次,进行第一湿蚀刻,以移除部分第一氧化物与部分第一内衬层以暴露出基材。之后,进行第二湿蚀刻,以移除部分第二内衬层,使得第二内衬层低于基材表面。再来,进行第三湿蚀刻,以移除部分第一氧化物与部分第一内衬层。接着,使用第二氧化物填满沟渠以形成浅沟渠隔离。 |
申请公布号 |
TWI358788 |
申请公布日期 |
2012.02.21 |
申请号 |
TW096126909 |
申请日期 |
2007.07.24 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
廖建茂;施信益 |
分类号 |
H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/762 |
代理机构 |
|
代理人 |
戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
主权项 |
|
地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |