| 摘要 |
本发明于闸极绝缘膜中具有包含电荷储存部之非挥发性记忆胞的半导体装置中，缩小非挥发性记忆体区域之面积。本发明系使用在记忆体闸极电极11A中设电场局部集中之角落部11cn，藉由FN穿隧动作，将记忆体闸极电极11A中之电荷注入于闸极绝缘膜2a中之电荷储存部的抹除方式。因为可藉由FN穿隧减低抹除时之消耗电流，所以可减低记忆体模组之电源电路面积。此外，因为可提高耐写入干扰性，所以可采用更简易之记忆体阵列结构，以减低记忆体阵列面积。合并两者之效果，而大幅减低记忆体模组之面积，可减低制造成本。此外，因为写入抹除之注入电荷中心一致，所以耐重写性提高。 |
