| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构制造方法,包括:提供一基底,该基底已形成一垫氧化层;于该垫氧化层上,形成一氮化硼层;将该氮化硼层图案化,并将该氮化硼层的图案转换至该垫氧化层和该基底中,用以在该基底中形成一沟渠;于该氮化硼层上覆盖一绝缘层,并填入该沟渠中;以及进行化学机械研磨制程,以磨除该氮化硼层上之该绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构制造方法,其中该氮化硼层的制造方法包括化学气相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构制造方法,其中该氮化硼层的制造方法包括电浆增强化学气相沈积(PECVD)法、低压化学气相沈积(LPCVD)法、和高密度电浆化学气相沈积(HDP-CVD)法多者择一。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构制造方法,其中该氮化硼层的制造方法包括旋涂技术。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构制造方法,其中在该化学机械研磨制程中,包括配合光学终点系统,以该氮化硼层为研磨终点。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构制造方法,其中在该化学机械研磨制程中,包括配合机械终点系统,以该氮化硼层为研磨终点。7.一种浅沟渠隔离结构制造方法,包括:提供一基底,该基底已形成一垫氧化层;于该垫氧化层上,形成由至少一氮化硼层和至以一氮化矽层交替组成的一堆叠层;将该堆叠层图案化,并将该堆叠层的图案转换该垫氧化层和该基底中,用以在该基底中形成一沟渠;于该堆叠层上覆盖一绝缘层,并填入该沟渠中;以及进行化学机械研磨制程,以磨除该堆叠层上之该绝缘层。8.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离结构制造方法,其中该堆叠层包括氮化矽层/氮化硼层。9.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离结构制造方法,其中该堆叠层包括氮化矽层/氮化硼层/氮化矽层。10.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离结构制造方法,其中该堆叠层包括氮化矽层/氮化硼层/氮化矽层/氮化硼层。图式简单说明:第一图A至第一图D系绘示根据本发明一较佳实施例之一种浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图;第二图系绘示根据本发明较佳实施例之一种用于做为沟渠形成罩幕的堆叠层之剖面图;第三图系绘示根据本发明较佳实施例之一种用于做为沟渠形成罩幕的堆叠层的剖面图;以及第四图系绘示根据本发明较佳实施例之一种用于做为沟渠形成罩幕的堆叠层的剖面图。 |
