| 主权项 |
1.一种半导体晶圆清洁组成物,其系用于后电浆灰化半导体制品,其包括以重量百分比所示范围内之下列成分:氟化物来源; 1-21%至少一种有机胺; 20-55%水; 23-50%至少一种金属钳合剂 0-21%其中该氟化物来源具有通式R1R2R3R4NF,其中R基为氢原子及/或脂族基;及该有机胺系选自下列所成组合之中者:二甘醇(DGA),甲基二乙醇胺(MDEA),五甲基二伸乙基三胺(PMDETA),三乙醇胺(TEA),三伸乙基二胺(TEDA),六亚甲基四胺,3,3-亚胺基双(N,N-二甲基丙胺),及单乙醇胺。2.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其中该氟化物来源系选自下列所成组合之中者:氟化铵;及氟化三乙醇胺(TEAF)。3.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其中该有机胺系选自下列所成组合之中者:二甘醇胺(DGA),甲基二乙醇胺(MDEA),五甲基二伸乙基三胺(PMDETA),三乙醇胺(TEA),和三伸乙基二胺(TEDA)。4.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其中该金属钳合剂选自下列所成组合之中者:乙醯乙醯胺,胺基甲酸铵,咯啶二硫代胺基甲酸铵(APDC),丙二酸二甲酯,乙醯乙酸甲酯,N-甲基乙醯乙醯胺,2,4-戊二酮,硫代苯甲酸四甲铵,三氟乙酸四甲铵,及二硫化四甲基秋兰姆(TMTDS)。5.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其中该氟化物来源系选自下列所成组合之中者:氟化铵,氟化三乙醇铵(TEAF),氟化二甘醇铵(DGAF),氟化四甲铵(TMAF),和三乙胺参(氟化氢)(TREAT-HF)。6.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其中该氟化物来源系选自下列所成组合之中者:氟化铵,氟化三乙醇铵(TEAF),氟化二甘醇铵(DGAF),氟化四甲铵(TMAF),及三乙胺参(氟化氢)(TREAT-HF);该有机胺系选自下列所成组合之中者:二甘醇胺,甲基二乙醇胺(MDEA),五甲基二伸乙基三胺(PMDETA),三乙醇胺(TEA),三伸乙基二胺(TEDA),六亚甲基四胺,3,3-亚胺基双(N,N-二甲基丙胺),及单乙醇胺;且该金属钳合剂系选自下列所成组合之中者:乙醯乙醯胺,胺基甲酸铵,咯啶二硫代胺基甲酸铵(APDC),丙二酸二甲酯,乙醯乙酸甲酯,N-甲基乙醯乙醯胺,2,3-戊二酮,硫代苯甲酸四甲铵,三氟乙酸四甲铵,及二硫化四甲基秋兰姆(TMTDS)。7.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其中该金属钳合剂具有下列通式:X-CHR-Y,其中R为氢原子或脂族基及X和Y为含有已知具有吸电子性质的多重键结部份之官能基,其中X和Y可为CONH2,CONHR',CN,NO2,SOR',SO2Z,其中R'表烷基且Z表另一原子或基,且其中X和Y可相同或不同。8.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其中该金属钳合剂具有下列通式R1R2R3R4N+-O2CCF3,式中R基为氢原子及/或脂族基。9.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:三乙醇胺 45%氟化铵 5%水 5010.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:二甘酮胺 55%氟化铵 5%2,4-戊二酮 10%水 3011.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:三乙醇胺 27.1%TEAF 20.3%2,4-戊二醇 10%水 42.612.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:PMDETA 45%氟化铵 5%乙醯乙酸甲酯 6%水 4413.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:PMDETA 45%氟化铵 1%2,4-戊二醇 8%APDC 15%水 3114.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:PMDETA 55%氟化铵 1%丙二酸二甲酯 13.2%TMTDS 6%水 24.815.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:TEA 36%PMDETA 16%氟化铵 12%乙醯乙醯胺 10%水 2816.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:TEA 45%氟化铵 11.4%三氟乙酸四甲铵 17%水 2717.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:三乙醇胺 45.52%氟化铵 3-10%2,4-戊二酮 5-10%水 35-4418.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:PMDETA 38-45%氟化铵 5%2,4-戊二酮 10%水 40-4719.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:PMDETA 38%TMAF 5%氟化铵 2%2,4-戊二酮 10%水 4520.如申请专利范围第1项之清洁组成物,其包括:PMDETA 38%氟化铵 1%2,4-戊二酮 10.7%胺基甲酸胺 10%水 38.321.一种制造半导体晶圆的方法,其包括下列诸步骤:从晶圆表面电浆蚀刻掉一金属化层;在该金属蚀刻步骤之后,从晶圆表面电浆灰化光阻剂;于后续步骤中用包含有下示重量百分比范围的下列成分之化学组成物清洁该晶圆:氟化物来源 1-21%至少一种有机胺; 20-55%水 23-50%至少一种金属钳合剂 0-21%其中该氟化物来源具有通式R1R2R3R4NF,其中R基为氢原子及/或脂族基;及该有机胺系选自下列所成组合之中者:二甘醇(DGA),甲基二乙醇胺(MDEA),五甲基二伸乙基三胺(PMDETA),三乙醇胺(TEA),三伸乙基二胺(TEDA),六亚甲基四胺,3,3-亚胺基双(N,N-二甲基丙胺),及单乙醇胺。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该氟化物来源系选自下列所成组合之中者:氟化铵;和氟化三乙醇胺(TEAF)。23.如申请专利范围第21项之方法,其中该有机胺系选自下列所成组合之中者:二甘醇胺(DGA),甲基二乙醇胺(MDEA),五甲基二伸乙基三胺(PMDETA),三乙醇胺(TEA),和三伸乙基二胺(TEDA)。24.如申请专利范围第21项之方法,其中该金属钳合剂选自下列所成组合之中者:乙醯乙醯胺,胺基甲酸铵,咯啶二硫代胺基甲酸铵(APDC),丙二酸二甲酯,乙醯乙酸甲酯,N-甲基乙醯乙醯胺,2,4-戊二酮,硫代苯甲酸四甲铵,三氟乙酸四甲铵,及二硫化四甲秋兰姆(TMTDS)。25.如申请专利范围第21项之方法,其中该氟化物来源系选自下列所成组合之中者:氟化铵,氟化三乙醇铵(TEAF),氟化二甘醇(DGAF),氟化四甲铵(TMAF),及三乙胺参(氟化氢)(TREAT-HF)。26.如申请专利范围第21项之方法,其中该氟化物来源系选自下列所成组合之中者:氟化铵,氟化三乙醇铵(TEAF),氟化二甘醇(DGAF),氟化四甲铵(TMAF),及三乙胺参(氟化氢)(TREAT-HF);该有机胺系选自下列所成组合之中者:二甘醇胺(DGA),甲基二乙醇胺(MDEA),五甲基二伸乙基二胺(PMDETA),三乙醇胺(TEA),三伸乙基二胺(TEDA),六亚甲基四胺,3,3-亚胺基双(N,N-二甲基丙胺),及单乙醇胺;该金属钳合剂选自下列所成组合之中者:乙醯乙醯胺胺基甲酸铵咯啶二硫代胺基甲酸铵(APDC),丙二酸二甲酯乙醯乙酸甲酯N-甲基乙醯乙醯胺2,4-戊二酮硫代苯甲酸四甲铵三氟乙酸四甲铵,及二硫化四甲基秋兰姆(TMTDS)。27.如申请专利范围第21项之方法,其中该金属钳合剂具有下列通式:X-CHR-Y其中R为氢原子或脂族基且X和Y为含有已知具有吸电子性质的多重键结部份之官能基,其中X和Y可为CONH2,CONHR',CN,NO2,SOR',SO2Z,其中R'表烷基且Z表另一原子或基,且其中X和Y可相同或相异。28.如申请专利范围第21项之方法,其中该金属钳合剂具有下列通式R1R2R3R4 N+-O2CCF3,式中R基为氢原子及/或脂族基。 |
